机译:浅沟槽蓝宝石衬底上氮化铝横向外延合并时的位错生成
机译:通过低螺纹位错密度(TDD)锗缓冲层在硅基板上实现AIGalnP LED的性能
机译:氮化铝热基板的制造和高功率LED的低温模切工艺
机译:准备在基于氮化物的紫外多量子阱中生长较低穿线位错密度的基质
机译:大面积位错缺陷的发展减少了硅(111)衬底上的III型氮化物层。
机译:无磷III族氮化物纳米线的制备用于柔性光子学的金属基板上的发光二极管
机译:降低异质外延III氮化物层中的位错密度:蓝宝石衬底处理的效果(综述)
机译:GaN-ready氮化铝衬底,用于经济高效,极低位错密度的III-Nitride LED。最终科学/技术报告